MEMS光开关器件

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特征: MEMS光开关是一种基于微机电系统技术的光学开关器件。它利用光的反射原理，通过静电驱动方式，控制微小的镜片偏转，来精确控制光路的通断与切换。作为现代光网络中的关键基础元件，MEMS光开关实现了光信号的直接物理路由，无需进行光电-光转换，从而具备了高速度、低损耗、低功耗等显著优势，是构建智能、灵活、高可靠性光通信系统的核心器件。

光路
规格
尺寸
订购信息
应用

参数		单位	MFSW 1×N (N≤64) FOR SM
工作波长		nm	O band: 1290~1330 C band: 1530~1570 L band: 1570~1610 L+ band: 1625~1650
测试波长		nm	1310/1550/1625/1650
插入损耗		dB	1×2	1×4	1×8	1×16	1×24	1×32	1×48	1×64
	@CWL Single-band		0.5	0.6	0.7	0.9	1.1	1.2	1.3	1.4
	@CWL Dual-band		0.7	0.8	0.9	1.1	1.3	1.4	1.5	1.6
波长相关损耗		dB	≤0.3
温度相关损耗		dB	≤0.4 (2≤N≤16),≤0.6 (17≤N≤64)
偏振相关损耗		dB	≤0.2
回波损耗		dB	≥50
串扰		dB	≥50 (2≤N≤32),≥45 (33≤N≤64)
重复性		dB	≤±0.05
切换时间		ms	≤8
寿命		times	≥10⁹
工作电压		V	60
切换模式			Non-Latching
最大光功率		mW	≤500
工作温度		°C	-20 ~ +85
存储温度		°C	-40 ~ +85
工作湿度		%	5 ~ 95
封装尺寸		mm	Φ5.5×42(±0.1) (2≤N≤16)
			Φ6.0×47(±0.1) (17≤N≤64)
1.所有参数均在室温工作环境下测试； 2.所有参数均不包括连接头插入损耗。 3.波长相关损耗测试范围为±20nm。

参数	单位	MFSW 1×N (N≤16) FOR MM
工作波长	nm	900~1100， 1400~1700
测试波长	nm	850/1310/980/1550
插入损耗	dB	@CWL Single-band	@CWL Dual band
		≤0.8（CH≤12）	≤1.0（CH≤12）
		≤0.8（12<CH≤16）	≤1.2（12<CH≤16）
		≤0.8（16<CH≤128）	≤2.2（16<CH≤128）
波长相关损耗	dB	≤0.3
温度相关损耗	dB	≤0.4
偏振相关损耗	dB	≤0.2
回波损耗	dB	≥30
串扰	dB	≥30
重复性	dB	≤±0.05
切换时间	ms	≤8
寿命	times	≥10⁹
工作电压	V	60
切换模式		Non-Latching
最大光功率	mW	≤500
工作温度	°C	-20 ~ +85
存储温度	°C	-40 ~ +85
工作湿度	%	5 ~ 95
封装尺寸	mm	Φ5.5×42(±0.1) (2≤N<8)
		Φ6.0×47(±0.1) (8≤N≤16)
1.所有参数均在室温工作环境下测试； 2.所有参数均不包括连接头插入损耗。 3.波长相关损耗测试范围为±20nm。

MEMS光开关是一种基于微机电系统技术的光学开关器件。它利用光的反射原理，通过静电驱动方式，控制微小的镜片偏转，来精确控制光路的通断与切换。作为现代光网络中的关键基础元件，MEMS光开关实现了光信号的直接物理路由，无需进行光电-光转换，从而具备了高速度、低损耗、低功耗等显著优势，是构建智能、灵活、高可靠性光通信系统的核心器件。