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保偏MEMS光开关

MFSW 1xN-PM (N≤4）规格

参数	单位	MFSW 1×N-PM (N≤4)
工作波长	nm	1310/1550
插入损耗	dB	1×2	1×4
		≤0.6	≤0.8
消光比	dB	≥18
波长相关损耗	dB	≤0.3
温度相关损耗	dB	≤0.4
偏振相关损耗	dB	≤0.2
回波损耗	dB	≥50
串扰	dB	≥50
重复性	dB	≤±0.05
切换时间	ms	≤8
寿命	times	≥10⁹
工作电压	V	60
切换模式		Non-Latching
最大光功率	mW	≤500
工作温度	°C	-20 ~ +85
存储温度	°C	-40 ~ +85
工作湿度	%	5 ~ 95
封装尺寸	mm	1x2	1x4
		Φ5.5×42(±0.1) 3PIN	Φ5.5×42(±0.1) 5PIN
1.所有参数均在室温工作环境下测试； 2.所有参数均不包括连接头插入损耗。 3.波长相关损耗测试范围为±20nm。

MFSW 1xN-PM (N≤8）规格

参数	单位	MEMS 1×N-PM (N≤8)
工作波长	nm	1310/1550
插入损耗	dB	1×2	1×4	1×8
		≤0.6	≤0.8	≤1.4
消光比	dB	≥18
波长相关损耗	dB	≤0.3
偏振相关损耗	dB	≤0.2
回波损耗	dB	≥50
串扰	dB	≥50
重复性	dB	≤±0.05
切换时间	ms	≤20
寿命	times	≥10⁹
最大光功率	mW	≤500
工作电压	V	DC 5V±10%
工作电流	mA	≤50
工作温度	°C	-20 ~ +85
存储温度	°C	-40 ~ +85
封装尺寸	mm	M1: 34×24×11 ±0.2 (Bare Fiber) M2: 60×24×11 ±0.2 (Loose Tube) M3: 90×55×12 ±0.2 (Loose Tube)
1.所有参数均在室温工作环境下测试； 2.所有参数均不包括连接头插入损耗。 3.波长相关损耗测试范围为±20nm。

MEMS 1XN 器件订购信息：MFSW 1×N-A-B-C-D

MEMS 1XN 模块 订购信息：MEMS 1×N-A-B-C-D-E-F-G